Name: Infineon Technologies IMZA65R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMZA65R030M1HXKSA1
Price: 15.0353 USD
Availability: InStock

Infineon Technologies IMZA65R030M1HXKSA1

Artikelnummer:

IMZA65R030M1HXKSA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Infineon Technologies IMZA65R030M1HXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IMZA65R030M1HXKSA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5.7V @ 8.8mA
Vgs (Max)	+20V, -2V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO247-4-3
Serie	CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 29.5A, 18V
Verlustleistung (max)	197W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-4
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1643 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 18 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	53A (Tc)

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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